鋰電池保護(hù)板常見(jiàn)不良原因分析和解決方法

? 一、無(wú)閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)載

此類(lèi)不良首要排除電芯不良（電芯原本無(wú)電壓或電壓低），假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗(yàn)保護(hù)板的自耗電，看是否是保護(hù)板自耗電過(guò)大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板整個(gè)回路不通（元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC損壞等）。具體分析

過(guò)程如下：

（一）、用萬(wàn)用表黑表筆接電芯負(fù)極，紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端，IC的Vdd、Dout、Cout端，P+端（假定電芯電壓為3.8V），逐段進(jìn)行分析，此幾個(gè)檢驗(yàn)點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是，則此段電路有問(wèn)題。

1、FUSE兩端電壓有改動(dòng)：檢驗(yàn)FUSE是否導(dǎo)通，若導(dǎo)公例是PCB板內(nèi)部電路不通；若不導(dǎo)公例FUSE有問(wèn)題（來(lái)料不良、過(guò)流損壞（MOS或IC操控失效）、質(zhì)料有問(wèn)題（在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞），然后用導(dǎo)線短接FUSE，持續(xù)往后分析。

2、R1電阻兩端電壓有改動(dòng)：檢驗(yàn)R1電阻值，若電阻值失常，則或許是虛焊，電阻自身開(kāi)裂。若電阻值無(wú)失常，則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問(wèn)題。

3、IC檢驗(yàn)端電壓有改動(dòng)：Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常，則是因?yàn)镮C虛焊或損壞。

4、若前面電壓都無(wú)改動(dòng)，檢驗(yàn)B-到P+間的電壓失常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板正極過(guò)孔不通。

（二）、萬(wàn)用表紅表筆接電芯正極，激活MOS管后，黑表筆依次接MOS管2、3腳，6、7腳，P-端。

1.MOS管2、3腳，6、7腳電壓有改動(dòng)，則標(biāo)明MOS管失常。

2.若MOS管電壓無(wú)改動(dòng)，P-端電壓失常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板負(fù)極過(guò)孔不通。

二、短路無(wú)保護(hù)

1、VM端電阻出現(xiàn)問(wèn)題：可用萬(wàn)用表一表筆接IC2腳，一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳，供認(rèn)其電阻值大小。看電阻與IC、MOS管腳有無(wú)虛焊。

2、IC、MOS失常：因?yàn)檫^(guò)放保護(hù)與過(guò)流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管，若短路失常是因?yàn)镸OS出現(xiàn)問(wèn)題，則此板應(yīng)無(wú)過(guò)放保護(hù)功用。

3、以上為正常情況下的不良，也或許出現(xiàn)IC與MOS裝備不良引起的短路失常。如前期出現(xiàn)的BK-901，其型號(hào)為‘312D’的IC內(nèi)延遲時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動(dòng)作操控之前MOS或其它元器件已被損壞。注：其間供認(rèn)IC或MOS是否發(fā)作失常最簡(jiǎn)易、直接的方法便是對(duì)有懷疑的元器件進(jìn)行替換。

三、短路保護(hù)無(wú)自恢復(fù)

1、規(guī)劃時(shí)所用IC原本沒(méi)有自恢復(fù)功用，如G2J，G2Z等。

2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過(guò)短，或短路檢驗(yàn)時(shí)未將負(fù)載移開(kāi)，如用萬(wàn)用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從檢驗(yàn)端移開(kāi)（萬(wàn)用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載）。

3、P+、P-間漏電，如焊盤(pán)之間存在帶雜質(zhì)的松香，帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿，ICVdd到Vss間被擊穿。（阻值只有幾K到幾百K）。

4、假設(shè)以上都沒(méi)問(wèn)題，或許IC被擊穿，可檢驗(yàn)IC各管腳之間阻值。

四、內(nèi)阻大

1、因?yàn)镸OS內(nèi)阻相對(duì)比較穩(wěn)定，出現(xiàn)內(nèi)阻大情況，首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相對(duì)比較簡(jiǎn)單發(fā)作改動(dòng)的元器件。

2、假設(shè)FUSE或PTC阻值正常，則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)P+、P-焊盤(pán)與元器件面之間的過(guò)孔阻值，或許過(guò)孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象，阻值較大。

3、假設(shè)以上多沒(méi)有問(wèn)題，就要懷疑MOS是否出現(xiàn)失常：首要供認(rèn)焊接有沒(méi)有問(wèn)題；其次看板的厚度（是否簡(jiǎn)單彎折），因?yàn)閺澱蹠r(shí)或許導(dǎo)致管腳焊接處失常；再將MOS管放到顯微鏡下觀測(cè)是否破裂；終究用萬(wàn)用表檢驗(yàn)MOS管腳阻值，看是否被擊穿。

五、ID失常

1、ID電阻自身因?yàn)樘摵?、開(kāi)裂或因電阻質(zhì)料不過(guò)關(guān)而出現(xiàn)失常：可從頭焊接電阻兩端，若重焊后ID正常則是電阻虛焊，若開(kāi)裂則電阻會(huì)在重焊后從中裂開(kāi)。

2、ID過(guò)孔不導(dǎo)通：可用萬(wàn)用表檢驗(yàn)過(guò)孔兩端。

3、內(nèi)部線路出現(xiàn)問(wèn)題：可刮開(kāi)阻焊漆看內(nèi)部電路有無(wú)斷開(kāi)、短路現(xiàn)象。